TC4427EOA IC GATE DRVR ຂ້າງລຸ່ມ 8SOIC

ລາຍລະອຽດ

TC4426/TC4427/TC4428 ແມ່ນສະບັບປັບປຸງຂອງໄດເວີ TC426/TC427/TC428 ລຸ້ນກ່ອນໜ້າຂອງ MOSFET.ອຸປະກອນ TC4426/TC4427/TC4428 ກົງກັບເວລາຂຶ້ນ ແລະ ຕົກ ເມື່ອສາກໄຟ ແລະ ປົດສາກປະຕູຂອງ MOSFET.ອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນມີຄວາມທົນທານຕໍ່ latch-up ສູງພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຕ່າງໆພາຍໃນລະດັບພະລັງງານແລະແຮງດັນ.ພວກມັນບໍ່ຖືກເສຍຫາຍເມື່ອມີສຽງດັງເຖິງ 5V (ຂອງຂົ້ວທັງ) ເກີດຂຶ້ນຢູ່ໜ້າດິນ.ພວກເຂົາສາມາດຍອມຮັບໄດ້, ໂດຍບໍ່ມີຄວາມເສຍຫາຍຫຼືຄວາມວຸ່ນວາຍຕາມເຫດຜົນ, ສູງເຖິງ 500 mA ຂອງກະແສປີ້ນກັບກັນ (ຂອງຂົ້ວທັງສອງ) ຖືກບັງຄັບໃຫ້ກັບຄືນສູ່ຜົນຜະລິດຂອງພວກເຂົາ.ທຸກໆຈຸດໄດ້ຮັບການປົກປ້ອງຢ່າງເຕັມທີ່ຕໍ່ກັບການໄຫຼໄຟຟ້າສະຖິດ (ESD) ເຖິງ 2.0 kV.ໄດເວີ TC4426/TC4427/TC4428 MOSFET ສາມາດສາກໄຟ/ປ່ອຍຄວາມຈຸຂອງປະຕູ 1000 pF ໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍພາຍໃຕ້ 30 ns.ອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ສະຫນອງ impedance ຕ່ໍາພຽງພໍໃນທັງສອງລັດເປີດແລະປິດເພື່ອຮັບປະກັນສະຖານະທີ່ຕັ້ງໃຈຂອງ MOSFET ບໍ່ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບ, ເຖິງແມ່ນວ່າໂດຍ transients ຂະຫນາດໃຫຍ່.ໄດເວີອື່ນໆທີ່ເຂົ້າກັນໄດ້ແມ່ນອຸປະກອນໃນຄອບຄົວ TC4426A/TC4427A/ TC4428A.ອຸປະກອນ TC4426A/TC4427A/ TC4428A ໄດ້ກົງກັບເວລາລ່າຊ້າຂອງຂາເຂົ້າ-ຂາອອກ, ນອກເໜືອໄປຈາກເວລາການຂຶ້ນ ແລະ ຕົກທີ່ກົງກັນຂອງອຸປະກອນ TC4426/TC4427/ TC4428.